本發(fā)明提供了一種納米片狀ZnO@Ag/絕緣
復(fù)合材料的制備方法,包括以下步驟:制備ZnO納米片;對ZnO納米片進行改性;將改性后的ZnO納米片分散在溶劑中形成ZnO懸濁液,將硝酸銀和適量分散劑溶于溶劑中得到溶液A,將適量硼氫化鈉和氫氧化鈉溶于溶劑中形成溶液B,將溶液A與溶液B分別緩慢滴入所述ZnO懸濁液中,得到ZnO@Ag;取ZnO@Ag,絕緣基體材料和交聯(lián)劑依次進行混煉和熱壓硫化成型,最終得到ZnO@Ag/絕緣復(fù)合材料。本發(fā)明可以有效的提高EPDM的電導(dǎo)特性,具有較低的閾值場強,良好的電導(dǎo)率非線性系數(shù)以及較穩(wěn)定的直流擊穿場強,且本發(fā)明制備工藝及所需設(shè)備簡單,成本低廉,安全無污染,容易實施。
聲明:
“納米片狀ZnO@Ag/絕緣復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)