本發(fā)明涉及一種以單晶硅為載體的消反射雙層P/N異質(zhì)結(jié)的層級(jí)復(fù)合材料，依以下方法制備：(1)首先對(duì)硅片進(jìn)行親水處理，在其表面生長二氧化鈦晶種，并置于馬弗爐內(nèi)煅燒；(2)然后將步驟(1)中所得到的表面附有二氧化鈦晶種的硅片置于反應(yīng)釜中，采用水熱合成的方法在硅片表面誘導(dǎo)生長二氧化鈦納米棒；(3)最后在步驟(2)中得到的二氧化鈦納米棒上沉積聚吡咯納米粒子，得到以單晶硅為載體的消反射雙層P/N異質(zhì)結(jié)層級(jí)復(fù)合材料。本發(fā)明所涉及的以單晶硅為載體的消反射雙層P/N異質(zhì)結(jié)層級(jí)復(fù)合材料具有優(yōu)異的降低材料表面光反射和高效分離光生電荷的能力，可以應(yīng)用到光催化、光電轉(zhuǎn)化器件和太陽能電池等領(lǐng)域。