本發(fā)明涉及一種基于二維納米導(dǎo)電材料的復(fù)合材料及其制備方法，所述復(fù)合材料包括基底，以及在基底的至少一個主表面形成的導(dǎo)電層，所述基底由包括彈性材料的組合物形成，并且，所述基底表面具有連續(xù)或不連續(xù)的凸起；所述導(dǎo)電層包括二維納米導(dǎo)電材料，所述二維納米導(dǎo)電材料包括二維過渡金屬碳/氮化合物，所述導(dǎo)電層平均厚度為10μm以下，并且，所述導(dǎo)電層至少部分地覆蓋基底中存在所述凸起的區(qū)域，所述復(fù)合材料在經(jīng)歷形變時能夠具有優(yōu)良的電導(dǎo)穩(wěn)定性，并且可以作為電磁屏蔽材料。