提供一種減少陶瓷
復合材料中氧化的方法。該方法包括用第一化學氣相滲入(CVI)法將第一部分碳化硅(SIC)基體沉積(130)在至少一部分制品上,用第二CVI法將摻硅(SI)氮化硼(BN)層沉積(140)在至少一部分SIC基體內,和用第三CVI法將第二部分SIC基體沉積(150)在第一部分SIC基體的至少一部分或其延續(xù)部分內。
聲明:
“形成復合材料保護層的方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)