本發(fā)明涉及一種C/C
復合材料表面的羥基磷灰石納米帶與羥基磷灰石涂層及一步共生長制備方法,首先對C/C復合材料進行離子鍍表面改性,然后在同一個沉積體系之中,在不移動C/C復合材料樣品的條件下,一步完成羥基磷灰石納米帶和羥基磷灰石涂層的制備。從而實現(xiàn)如下效果:其一,在羥基磷灰石涂層的內(nèi)部引入了羥基磷灰石納米帶,兩者具有一致的化學組分,從而解決了納米帶與涂層的物理化學性質(zhì)不相容的問題。其二,羥基磷灰石納米帶和羥基磷灰石涂層在同一沉積體系中一步共生長,從而避免了納米帶和涂層的多步驟制備導致的缺陷累積的問題。
聲明:
“C/C復合材料表面的羥基磷灰石納米帶與羥基磷灰石涂層及一步共生長制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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