對半導(dǎo)體器件進(jìn)行晶片級老化和測試的技術(shù)包括具有諸如ASIC等安裝到互連襯底或安裝在其中的有源電子元件的測試襯底、在ASIC和被測試晶片(WUT)上的多個(gè)被測試器件(DUT)之間實(shí)行互連的金屬彈性接觸元件,它們都被置于真空容器中,從而可在與DUT的老化溫度無關(guān)或明顯低于該溫度的溫度下操作ASIC。彈性接觸元件可以安裝到DUT或ASIC,且可成扇形發(fā)散以放寬使ASIC和DUT對準(zhǔn)和互連的公差限制。由于ASIC能在相對少的信號線上接收來自主控制器的多個(gè)用于測試DUT的信號,并在ASIC和DUT之間相對多的互連上傳播這些信號,所以互連的數(shù)目明顯減少,繼而簡化了互連襯底。ASIC還可響應(yīng)于來自主控制器的控制信號產(chǎn)生這些信號中的至少一部分。還描述了具體對準(zhǔn)技術(shù)。在ASIC的正面微切削加工而成的凹痕保證了俘獲彈性接觸元件的自由端。ASIC背面及互連襯底正面經(jīng)微切削加工而成的特征有利于使支撐襯底上的多個(gè)ASIC精確對準(zhǔn)。