2AlC陶瓷層及其制備方法,電冶金技術(shù)"> 2AlC陶瓷層及其制備方法,本發(fā)明公開了一種鈦基體表面原位生成Ti2AlC陶瓷層及其制備方法,該復(fù)合材料采用粉末冶金的手段,在鈦及鈦合金基體表面原位生成一層厚度范圍可控、穩(wěn)定的Ti2AlC陶瓷層。Ti2AlC作為MAX相材料的代表之一,具有良好的自潤滑和優(yōu)異的摩擦學性能,以其作為防護層有助于改善鈦及鈦合金表面摩擦性能和其使用溫度。此外在陶瓷層和鈦基體之間生成了一層TiXAly過渡層,過渡層與陶瓷層、基體之間的界面結(jié)合良好,有利于陶瓷層和基體層之間力學性能的傳遞。本發(fā)明所公開的方法能夠">

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鈦基體表面原位生成Ti2AlC陶瓷層及其制備方法

832   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:45:35
本發(fā)明公開了一種鈦基體表面原位生成Ti2AlC陶瓷層及其制備方法,該復(fù)合材料采用粉末冶金的手段,在鈦及鈦合金基體表面原位生成一層厚度范圍可控、穩(wěn)定的Ti2AlC陶瓷層。Ti2AlC作為MAX相材料的代表之一,具有良好的自潤滑和優(yōu)異的摩擦學性能,以其作為防護層有助于改善鈦及鈦合金表面摩擦性能和其使用溫度。此外在陶瓷層和鈦基體之間生成了一層TiXAly過渡層,過渡層與陶瓷層、基體之間的界面結(jié)合良好,有利于陶瓷層和基體層之間力學性能的傳遞。本發(fā)明所公開的方法能夠應(yīng)用于航空航天制造以及高溫領(lǐng)域。
聲明:
“鈦基體表面原位生成Ti2AlC陶瓷層及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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