本發(fā)明的一種實施方式提供一種用于制造
太陽能電池的方法。所述方法包括:熔化冶金級(MG)Si原料,放低單晶Si籽晶以接觸熔化的MG-Si的表面,從所述熔化的MG-Si中緩慢拉出單晶Si錠,將Si錠加工成單晶Si晶片以形成用于后續(xù)外延生長的MG-Si襯底,瀝出所述MG-Si襯底中的殘余金屬雜質(zhì),在所述MG-Si襯底上外延生長摻雜有硼的單晶Si薄膜層,將磷摻雜入所述單晶Si薄膜以形成發(fā)射層,在所述單晶Si薄膜頂部上沉積抗反射層,以及形成前電接觸和背電接觸。
聲明:
“在冶金級Si晶片上通過使用CVD外延Si膜制造的太陽能電池” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)