基于平推流反應(yīng)動力模型的等溫化學(xué)氣相滲透PLC-IPC控制系統(tǒng) 651     

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本發(fā)明公開一種基于平推流反應(yīng)動力模型的等溫化學(xué)氣相滲透（ICVI）的可編程控制器（PLC）-工控機(jī)（IPC）控制系統(tǒng)，包括工控機(jī)IPC、與工控機(jī)IPC進(jìn)行通訊的PLC控制器、真空隔膜泵、加熱單元、質(zhì)量流量閥，以及流量、壓力和溫度傳感器和I/O接口，工控機(jī)IPC包括人機(jī)界面（HMI）、有效滯留時間計算單元和流量計算單元；PLC控制器包括三個控制回路，為壓力控制回路、溫度控制回路和流量控制回路。本發(fā)明基于工控機(jī)IPC和PLC控制器的優(yōu)勢，對原有的控制系統(tǒng)進(jìn)行了全面的改造，將現(xiàn)有的詳細(xì)反應(yīng)機(jī)理應(yīng)用到氣相滲透爐的工藝參數(shù)控制和優(yōu)化中，通過平推流的動力學(xué)模型對有效滯留時間這一中間測量量進(jìn)行實時的計算，達(dá)到對其有效的控制。

化學(xué)增幅光刻膠等效擴(kuò)散模型的建立方法 995     

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本發(fā)明公開了一種化學(xué)增幅光刻膠等效擴(kuò)散模型的建立方法,可同時考慮掩膜板圖形的圖形分布密度對于光刻膠擴(kuò)散長度的影響,從而可以建立更為準(zhǔn)確的光刻膠等效擴(kuò)散模型,提高對光刻工藝各項參數(shù)的模擬結(jié)果的精確度。包括以下步驟:(1)測量光刻膠對一組不同類型的測試圖形在不同圖形分布密度時的光刻工藝參數(shù);(2)通過空間像模擬解算出光刻膠光酸對所述不同類型的測試圖形在不同圖形分布密度時的等效擴(kuò)散長度值;(3)建立光刻膠光酸的等效擴(kuò)散長度對各種類型的測試圖形在不同圖形分布密度時的函數(shù)或者表格;(4)根據(jù)待模擬圖形的圖形類型及圖形分布密度,選擇該待模擬圖形相應(yīng)的最佳等效擴(kuò)散長度值。

化學(xué)機(jī)械研磨裝置以及化學(xué)機(jī)械研磨方法 675     

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本發(fā)明公開了一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置以及化學(xué)機(jī)械研磨方法,該化學(xué)機(jī)械研磨裝置包括:研磨平臺;驅(qū)動裝置,與所述研磨平臺連接,用于驅(qū)動所述研磨平臺旋轉(zhuǎn);傳感器,與所述研磨平臺連接,用于測量研磨平臺的轉(zhuǎn)速并將所述轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)換為轉(zhuǎn)速信號;控制器,與所述傳感器連接,用于接收傳感器輸出的轉(zhuǎn)速信號并根據(jù)所述轉(zhuǎn)速信號輸出報警信號,以啟動報警裝置報警。所述傳感器可測量所述研磨平臺的實際轉(zhuǎn)速,一旦所述研磨平臺的轉(zhuǎn)速出現(xiàn)異常,所述控制器可根據(jù)傳感器輸出的轉(zhuǎn)速信號輸出報警信號,操作人員即可知曉所述化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺出現(xiàn)故障并及時處理晶片,從而避免晶片報廢。

淺溝槽隔離工藝中化學(xué)機(jī)械研磨工藝窗口確定方法 1154     

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本發(fā)明公開了一種STI CMP工藝窗口確定方法,首先,在最佳估計的研磨時間上下遞增和遞減時間,記錄下氮化硅殘留的膜厚以及相對應(yīng)的時間;然后對所有的硅片進(jìn)行光學(xué)顯微鏡觀察;接著,對所有無色差的硅片跳過氫氟酸腐蝕,直接用磷酸腐蝕,然后,對所有硅片進(jìn)行光學(xué)顯微鏡觀察;最后將CMP研磨時間工藝窗口的低段和高段之間的氮化膜的差以及所對應(yīng)的研磨時間段確定為STI CMP工藝窗口。本發(fā)明可以有效而快速地建立起STI CMP研磨時間的工藝窗口,為后續(xù)優(yōu)化工藝,縮短開發(fā)時間,提高產(chǎn)品良品率奠定基礎(chǔ)。適用于半導(dǎo)體集成電路制造中的STI工藝。

化學(xué)消融導(dǎo)管、化學(xué)消融系統(tǒng)及醫(yī)療系統(tǒng) 815     

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本發(fā)明提供一種化學(xué)消融導(dǎo)管、化學(xué)消融系統(tǒng)及醫(yī)療系統(tǒng)，所述化學(xué)消融導(dǎo)管可以與外部化學(xué)消融控制單元、封堵控制單元、脈沖發(fā)生控制單元配合使用，可以封堵目標(biāo)組織，并向目標(biāo)組織注入化學(xué)消融介質(zhì)且釋放脈沖電場，進(jìn)一步的還可與電生理信號記錄單元配合使用，標(biāo)測消融效果，因此，可簡化現(xiàn)有Marshall靜脈化學(xué)消融的手術(shù)操作，提高消融的有效性和安全性。

化學(xué)氣相沉積設(shè)備的安裝方法及化學(xué)氣相沉積設(shè)備 706     

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本發(fā)明提供了一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備的安裝方法及化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其安裝方法包括步驟:將晶舟安裝在基座上,且在所述晶舟一側(cè)設(shè)置有投影板;在所述投影板設(shè)置參照物;第一光束照射所述晶舟,使所述晶舟投影到所述投影板上形成晶舟投影;沿所述基座的中心軸旋轉(zhuǎn)所述基座,且上述晶舟和所述基座一起旋轉(zhuǎn),測量在旋轉(zhuǎn)過程中所述晶舟投影與所述參照物之間的距離,當(dāng)旋轉(zhuǎn)過程中所述距離發(fā)生變化時,則調(diào)整所述晶舟在所述基座上的位置,從而使得安裝時晶舟能位于反應(yīng)腔室中心。

化學(xué)機(jī)械拋光方法以及化學(xué)拋光系統(tǒng) 641     

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本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械拋光方法及化學(xué)機(jī)械拋光裝置，充分考慮了化學(xué)機(jī)械拋光裝置上的晶片載體隨著長時間使用而導(dǎo)致的厚度變化對半導(dǎo)體晶片的拋光效果的影響，在設(shè)定用于半導(dǎo)體晶片拋光的工藝參數(shù)之前，先測量晶片載體的厚度，并計算出測得的晶片載體的厚度與待拋光的半導(dǎo)體晶片在完成拋光后的目標(biāo)厚度之間的差值(即晶片載體相對拋光后的半導(dǎo)體晶片的突出量或者拋光后的半導(dǎo)體晶片相對晶片載體的突出量)，然后根據(jù)該差值設(shè)定用于半導(dǎo)體晶片拋光的工藝參數(shù)，當(dāng)采用這組與該差值相關(guān)的半導(dǎo)體晶片拋光的工藝參數(shù)對該半導(dǎo)體晶片進(jìn)行拋光后，該半導(dǎo)體晶片最終拋光后的拋光面的平整度會增加，因而提高了拋光效果。

可利用高色度含醇廢水氫-電聯(lián)產(chǎn)的光化學(xué)電池裝置 1136     

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本發(fā)明提供了一種可利用高色度含醇廢水氫-電聯(lián)產(chǎn)的光化學(xué)電池裝置。包括：以疏水多孔膜將反應(yīng)器分為兩區(qū)，陽極液為高色度含醇廢水，陰極液為酸性溶液；以沉積鉑黑的鍍鉑片作陰極；將負(fù)載TiO2光催化劑的旋鼓作陽極，通過轉(zhuǎn)軸控制轉(zhuǎn)速，在其表面形成微米級的液膜；激發(fā)光易于透過液膜照射到催化劑表面，產(chǎn)生空穴和電子，空穴氧化有機(jī)物后復(fù)合，可再被光激發(fā)，電子則通過外電路流入陰極區(qū)還原產(chǎn)氫；對陰極區(qū)氫氣進(jìn)行取樣測定，并對外電路電流實時監(jiān)測，完成利用高色度含醇廢水實現(xiàn)氫-電聯(lián)產(chǎn)的過程。本發(fā)明實現(xiàn)了同步產(chǎn)電、產(chǎn)氫、處理高色度含醇廢水的三重功效；無需外加電壓，實現(xiàn)了將有機(jī)污染物的化學(xué)能轉(zhuǎn)化成氫能和電能等清潔的能源形式。

用于二氧化碳的電化學(xué)還原的電化學(xué)反應(yīng)器 806     

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本發(fā)明提供了一種用于二氧化碳的電化學(xué)還原的電化學(xué)反應(yīng)器，該裝置屬于三腔室反應(yīng)器，由兩種隔膜(即陰離子導(dǎo)電聚合物薄膜和聚丙烯薄膜氣體擴(kuò)散電極)分隔三塊有精密尺寸凹槽和開孔的透明有機(jī)玻璃板材構(gòu)成；所述三腔室反應(yīng)器包含有：氣體腔室、陰極電解液腔室和陽極電解液腔室。所述氣體腔室包括聚丙烯薄膜氣體擴(kuò)散電極聚丙烯薄膜一側(cè)，陰極電解液腔室包括由銀基催化劑作陰極的聚丙烯薄膜氣體擴(kuò)散電極催化層一側(cè)，所述陽極電解液腔室包括具有混合金屬氧化物催化劑的陽極。本發(fā)明的電化學(xué)反應(yīng)裝置整體采用材質(zhì)透明、硬度較高、既耐堿性又耐酸性的有機(jī)玻璃，易于精密加工和組裝，便于直接監(jiān)控、觀測電化學(xué)反應(yīng)，且反應(yīng)測試期間無二次污染。

濕化學(xué)共沉淀氧化鋯的封接工藝 803     

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濕化學(xué)共沉淀制備的氧化鋯(Mg—PSZ)的封接 工藝，介紹了一種用固體電解質(zhì)陶瓷(Mg—PSZ)與 玻璃、陶瓷及合金的封接，可分別采用煤氣—氧氣混 合焰的普通燈工吹制及退火技術(shù)；中溫封接及中、低 溫范圍不同降溫速率的封接。 本發(fā)明工藝簡單，封接件可達(dá)真空氣密或氦檢氣 密的要求。特別是由于Mg—PSZ可與合金進(jìn)行封 接，拓寬了Mg—PSZ作為氧敏器件的技術(shù)應(yīng)用范 圍。

化學(xué)機(jī)械拋光的方法、用于化學(xué)機(jī)械拋光的清洗裝置 728     

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一種化學(xué)機(jī)械拋光方法，包括：將待拋光的晶片放置于化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備中，對晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，還包括通過清洗溶液對晶片進(jìn)行清洗，實時測量清洗晶片后形成的處理溶液的開路電位，在處理溶液的開路電位達(dá)到開路電位閾值時，停止清洗。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種用于化學(xué)機(jī)械拋光的清洗裝置，包括清洗單元、取樣單元、實時測量單元、閾值測量單元和控制單元。本發(fā)明可以有效減少晶片表面的有機(jī)殘留物。

高純度10-羥基喜樹堿的化學(xué)半合成工藝 770     

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本發(fā)明為一種高純度10-羥基喜樹堿的化學(xué)半合成工藝,它以20(s)-喜樹堿為原料,經(jīng)過優(yōu)化的N-氧化和光化學(xué)重排反應(yīng),產(chǎn)物經(jīng)硅膠柱層析,即得到高純度的10-羥基喜樹堿。本工藝操作條件簡便,反應(yīng)試劑可回收利用,生產(chǎn)成本低,10-羥基喜樹堿產(chǎn)品收率高,產(chǎn)物易分離,純度達(dá)98.5%,符合國家藥檢標(biāo)準(zhǔn)。

用于對樣氣進(jìn)行檢測的設(shè)備及借助火焰離子化檢測器對樣氣進(jìn)行檢測的方法 1139     

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本發(fā)明涉及一種用于對樣氣進(jìn)行檢測的設(shè)備，設(shè)備包括火焰離子化檢測器，火焰離子化檢測器包括樣氣進(jìn)口、燃燒氣體進(jìn)口和助燃?xì)怏w進(jìn)口，在火焰離子化檢測器中，流入火焰離子化檢測器的樣氣在由燃燒氣體和助燃?xì)怏w生成的火焰的作用下發(fā)生電離，由此產(chǎn)生用于對樣氣進(jìn)行化學(xué)分析的信號，設(shè)備還包括補(bǔ)償氣體供應(yīng)裝置，以向火焰離子化檢測器提供補(bǔ)償氣體，以消除或減輕由樣氣中本身存在的氧氣所造成的干擾，補(bǔ)償氣體為含氧氣體。本發(fā)明還提供一種借助火焰離子化檢測器對樣氣進(jìn)行檢測的方法。借助該設(shè)備和方法，可解決含氧氣的樣氣中的氧氣對檢測結(jié)果的干擾問題。

涂層導(dǎo)體Ni-5at.%W合金基帶的電化學(xué)拋光方法 1049     

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本發(fā)明涉及涂層導(dǎo)體Ni-5at.％W合金基帶的電化學(xué)拋光方法，以Ni-5at.％W合金基帶作為陽極，以純鎳片作為陰極，將Ni-5at.％W合金基帶在靜態(tài)下浸漬于電解拋光液中，開啟電源對Ni-5at.％W合金基帶進(jìn)行拋光處理，拋光處理后的合金基帶再經(jīng)去離子水反復(fù)沖洗，并用無水乙醇脫水、風(fēng)機(jī)吹干即可，電解拋光液為磷酸、硫酸、乙二醇按體積比為2-4∶3-5∶2-3混合而成的電解拋光液。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明拋光后的合金基帶通過原子力顯微鏡分析，在5×5μm范圍內(nèi)RMS小于1納米，消除了由RABiTS制備基帶產(chǎn)生的晶界溝槽效應(yīng)，且對原始基帶立方織構(gòu)無影響，滿足涂層導(dǎo)體對基帶表面平整度的要求。

基于MXene的紙基雙層電極電化學(xué)汗液傳感器及其制備方法 845     

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本發(fā)明涉及一種基于MXene的紙基雙層電極電化學(xué)汗液傳感器及其制備方法，所述傳感器在紙基材料上具有多組雙層結(jié)構(gòu)的三電極體系，分別為參比電極、對電極和經(jīng)MXene材料修飾的工作電極，利用蠟打印技術(shù)使紙基材料親疏水區(qū)域通過折疊在層間形成多條微流控通道實現(xiàn)汗液的收集、流通、檢測和擴(kuò)散功能。本發(fā)明的傳感器實現(xiàn)了無創(chuàng)式多物質(zhì)同步檢測人體汗液的功能，具有廣泛的應(yīng)用前景。

低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備以及低壓化學(xué)氣相沉控制方法 971     

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本發(fā)明提供了一種低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備以及低壓化學(xué)氣相沉控制方法。根據(jù)本發(fā)明的低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括:真空泵;采集器;布置在真空泵與收集器之間的主閥門;工藝導(dǎo)管;以及布置在工藝導(dǎo)管中的氣流方向檢測裝置。根據(jù)本發(fā)明的低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備能夠在真空泵突然出現(xiàn)故障時防止工藝副產(chǎn)品的出現(xiàn)、并防止加工中的晶片報廢,因此,所述低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備能夠提高成品率,由此降低工藝成本。

化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備及使用該化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備的研磨方法 668     

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本發(fā)明公開了一種化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備(CMP)及使用該CMP的研磨方法,其中CMP包括:用于固定待研磨的晶片的研磨頭;旋轉(zhuǎn)臺和固定在所述旋轉(zhuǎn)臺表面的研磨墊,所述旋轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)研磨墊使得研磨墊與研磨頭之間相對運動,以對晶片進(jìn)行研磨;用于供給磨料至研磨墊上的磨料供給裝置;用于調(diào)節(jié)供給至研磨墊上的磨料的分布的研磨墊整理器;以及用于檢測研磨墊整理器與研磨頭之間的距離的檢測器,以防止研磨墊整理器與研磨頭接觸。當(dāng)檢測到所述距離小于等于預(yù)定值時,所述檢測器發(fā)出預(yù)警信號。本發(fā)明中的化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備在晶片研磨過程中能夠降低研磨墊整理器和研磨頭發(fā)生碰撞的幾率,提高研磨頭及研磨墊整理器的使用壽命,同時提高了CMP設(shè)備的使用壽命。

一類化學(xué)發(fā)光強(qiáng)度高、波長長、穩(wěn)定性好的化學(xué)發(fā)光底物及其制備方法和應(yīng)用 1067     

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發(fā)明提供了一類化學(xué)發(fā)光強(qiáng)度高、波長長、穩(wěn)定性好的化學(xué)發(fā)光底物及其制備方法和應(yīng)用。所述化學(xué)發(fā)光底物具有式Ⅰ所示結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明提供了所述化學(xué)發(fā)光探針在生理環(huán)境下的自發(fā)熒光波長及強(qiáng)度，及其在活體成像中的應(yīng)用。測試結(jié)果表明，本發(fā)明中提供的的化學(xué)發(fā)光探針具有長波長的自發(fā)熒光(600nm)，能有效的穿透皮膚組織，高自發(fā)熒光強(qiáng)度(>10⁷p/s/cm²/sr)，優(yōu)異的熱穩(wěn)定性(不含1,2?二氧雜環(huán)丁烷結(jié)構(gòu))及多樣化的檢測基團(tuán)(適用于不同檢測模型)。

基于納米銀?氧化銅顆粒/石墨烯的無酶電化學(xué)葡萄糖傳感器的制備方法 1065     

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本發(fā)明涉及一種基于納米銀?氧化銅顆粒/石墨烯的無酶電化學(xué)葡萄糖傳感器的制備方法，包括以下步驟：(1)分別稱取銀鹽和銅鹽溶于水中，混合，得到銀銅前驅(qū)體溶液；(2)取氧化石墨烯分散于去離子水中，得到氧化石墨烯分散液；(3)將銀銅前驅(qū)體溶液和氧化石墨烯分散液混合后，調(diào)節(jié)pH，水熱反應(yīng)，分離干燥，得到Ag?CuO納米顆粒/石墨烯復(fù)合材料，分散在無水乙醇中；(4)再取備用懸浮液滴加到玻璃碳電極上，干燥，即得到Ag?CuO納米顆粒/石墨烯電極；(5)再將其與對電極、參比電極組成三電極體系與電化學(xué)工作站相連形成電化學(xué)傳感器，即得到目的產(chǎn)物。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明制備的傳感器對葡萄糖的檢測具有高的靈敏度，低的檢測限和寬的檢測范圍，而且成本低，環(huán)保無害等。

化學(xué)機(jī)械拋光裝置及化學(xué)機(jī)械拋光的方法 796     

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一種化學(xué)機(jī)械拋光裝置及化學(xué)機(jī)械拋光的方法，其中，化學(xué)機(jī)械拋光裝置包括：基座；固定于基座表面的研磨墊，研磨墊內(nèi)具有檢測窗，檢測窗表面與研磨墊表面齊平，檢測窗為透光材料；位于基座內(nèi)的光頭，光頭位于檢測窗下方，且光頭與檢測窗之間為空腔；固定于基座內(nèi)的位置調(diào)節(jié)裝置，位置調(diào)節(jié)裝置與光頭連接；位于研磨墊上方的檢測裝置，檢測裝置位于研磨墊上方，檢測裝置到研磨墊中心的水平距離、與第一檢測裝置到研磨墊中心的水平距離一致；分別與位置調(diào)節(jié)裝置和第一檢測裝置連接的控制器，控制器根據(jù)檢測裝置檢測的研磨墊減薄的厚度，控制光頭下降相同距離。所述化學(xué)機(jī)械拋光裝置光學(xué)終點檢測精確。

利用近紅外光譜分析裝置分選廢舊家電破碎塑料的方法 879     

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一種利用近紅外光譜分析分選廢舊家電破碎塑料的方法，將破碎后的廢舊家電塑料進(jìn)過破碎篩分之后，經(jīng)過全光譜光源時，會主要吸收處于紅外波段的光，運用近紅外光譜儀收集經(jīng)由片料反射的處于波長720?1700nm的光線，光譜數(shù)據(jù)在工控主機(jī)內(nèi)經(jīng)過最小二乘法進(jìn)行降噪、高斯擬合進(jìn)行平滑處理之后再進(jìn)行高斯函數(shù)逼近，提取數(shù)據(jù)特征值所對應(yīng)的波長n與半峰寬FWHM，與標(biāo)準(zhǔn)塑料光譜特征值進(jìn)行對比，比對結(jié)果作為觸發(fā)條件控制機(jī)械分選結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)不同種塑料的分選操作。本發(fā)明解決了廢舊家電破碎塑料分選困難、準(zhǔn)確率低下的問題，消除了化學(xué)法分離家電中廢舊塑料所產(chǎn)生的污染與危害，形成一整套完整的廢舊破碎塑料的識別、分選方法，實現(xiàn)在工業(yè)上的具體應(yīng)用。

基于譜分析的圖同構(gòu)判斷方法 977     

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本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域，涉及一種基于譜分析的圖同構(gòu)判斷方法；該方法將大規(guī)模純電阻網(wǎng)絡(luò)圖建模為非混合無向簡單圖，將二維平面圖映射成一維分布，根據(jù)處理后的一維分布的情況來判定兩圖是否同構(gòu)。本發(fā)明方法對無向非混合簡單圖具有判斷結(jié)果準(zhǔn)確、快速的特點，特別是對于大規(guī)模無向非混合簡單圖，所述方法的速度明顯快于目前性能較好的Nauty方法，能很好地應(yīng)用于大規(guī)模集成電路中相同子電路的判定、有機(jī)化學(xué)中同分異構(gòu)體的判定等領(lǐng)域。

基于大數(shù)據(jù)分析的市政污水處理裝置及工藝 732     

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本發(fā)明涉及污水處理技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基于大數(shù)據(jù)分析的市政污水處理裝置及工藝，通過排污閥門等設(shè)置，既能避免懸浮物進(jìn)入影響后續(xù)凈化程序，又能將收集到的漂浮物統(tǒng)一定期排出，完成自清理操作，通過增壓泵將液體箱內(nèi)的絮凝劑輸送至內(nèi)球體內(nèi)的碳酸鈉粉末上，進(jìn)而發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生二氧化碳?xì)怏w，從而通過第一連通管將氣體排放至氣囊內(nèi)使其發(fā)生膨脹，繼而將氣囊周邊的絮凝劑通過排放管穩(wěn)定向外排出，對污水完成絮凝凈化，避免產(chǎn)生的氣體溢流，造成絮凝劑擠出不穩(wěn)定，確保了絮凝劑的絮凝效果，化學(xué)反應(yīng)過程中，產(chǎn)生的另一部分氣體能夠使得集油網(wǎng)穩(wěn)定鋪展開，擴(kuò)大與污水液面的接觸面積，提高對油污的吸附效率。

提高化學(xué)實驗體驗的化學(xué)實驗裝置及方法 751     

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本發(fā)明提供一種提高化學(xué)實驗體驗的化學(xué)實驗裝置及方法，屬于化學(xué)實驗技術(shù)領(lǐng)域，用于通過實驗者拿取的化學(xué)品的種類和用量模擬化學(xué)實驗反應(yīng)現(xiàn)象，其特征在于，包括：多個智能試劑瓶，具有試劑瓶本體、用于檢測實驗者拿取的化學(xué)品的種類和用量的行為檢測傳感器組件、與試劑瓶本體電連接的試劑瓶控制模塊以及與試劑瓶本體相配套的化學(xué)物品運載工具；智能燒杯，用于顯示虛擬的化學(xué)實驗反應(yīng)現(xiàn)象，具有燒杯本體以及顯示設(shè)備；以及可視化控制器，與試劑瓶控制模塊和顯示設(shè)備通信連接；其中，試劑瓶控制模塊用于將行為檢測傳感器的檢測結(jié)果發(fā)送給可視化控制器，該可視化控制器基于檢測結(jié)果生成化學(xué)實驗反應(yīng)現(xiàn)象的圖像或視頻并發(fā)送給顯示設(shè)備進(jìn)行顯示。

全自動COD分析裝置 839     

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本發(fā)明提供一種全自動化學(xué)需氧量分析儀，包括冷凝模塊、加熱模塊、樣品管模塊、直線模組、步進(jìn)電機(jī)，以及外箱體、顏色傳感器、光源、自動控制器，其中，冷凝模塊包括冷凝管圓盤、冷凝水管路；樣品管模塊包括樣品管轉(zhuǎn)盤，表面設(shè)有兩圈或多圈樣品管插孔，并且每個樣品管插孔垂直對應(yīng)于冷凝管圓盤的插孔；加熱模塊表面設(shè)有兩圈或多圈孔狀的加熱孔，每個加熱孔中設(shè)有加熱塊，其中每個加熱孔垂直對應(yīng)于每個樣品管插孔，以容納樣品管。由于樣品管或樣品杯在垂直方向固定不動，使得冷凝模塊根據(jù)指令對冷凝管進(jìn)行冷卻、加熱模塊對樣品管或樣品杯進(jìn)行冷加熱，并通過直線模塊實現(xiàn)冷凝管和加熱模塊分別脫離樣品管，從而實現(xiàn)對滴定樣品的同時或差異化的高通量處理。

微囊藻毒素?LR分子印跡光電化學(xué)傳感器及其制備與應(yīng)用 981     

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本發(fā)明涉及一種基于可見光驅(qū)動Cu2O/PPy復(fù)合材料的微囊藻毒素?LR分子印跡光電化學(xué)傳感器及其制備與應(yīng)用。以ITO導(dǎo)電玻璃為基體，通過電化學(xué)技術(shù)沉積上分子印跡膜，該分子印跡膜由可見光范圍吸收的Cu2O半導(dǎo)體作為光電材料與含有微囊藻毒素?LR空位的聚吡咯復(fù)合而成，以可見光作為激發(fā)光源，在CHI660e工作站上采用i?t技術(shù)進(jìn)行微囊藻毒素?LR濃度的檢測。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的微囊藻毒素?LR分子印跡光電化學(xué)傳感器的應(yīng)用具有如下優(yōu)點：光電化學(xué)響應(yīng)靈敏，檢測范圍寬，可在1.0ng·L?1～10.0ug·L?1的濃度范圍內(nèi)進(jìn)行檢測，抗干擾能力強(qiáng)；而且本發(fā)明的制備方法簡單快速、成本低，可適用于水體的快速在線檢測。

化工分析用取樣裝置 773     

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本實用新型公開了一種化工分析用取樣裝置，包括化工原料桶，還包括螺旋上料機(jī)和樣品放置箱，所述化工原料桶的上方安裝有攪拌電機(jī)，攪拌電機(jī)的輸出端通過聯(lián)軸器連接有轉(zhuǎn)動軸，轉(zhuǎn)動軸的兩端分別安裝有攪拌棒，所述螺旋上料機(jī)位于化工原料桶的一側(cè)，螺旋上料機(jī)的內(nèi)部裝有螺旋碎料刀片，所述螺旋上料機(jī)的出料口處設(shè)置有收集漏斗，收集漏斗的下端安裝有取樣套管，所述樣品放置箱的內(nèi)部安裝有取樣試管，收集漏斗通過取樣套管與取樣試管無縫對接。本實用新型通過對化工原料溶液進(jìn)行混合攪拌，通過螺旋上料機(jī)對固定化工原料進(jìn)行攪碎，將其與化工溶液融合后輸送進(jìn)收集漏斗中，在利用漏斗將其灌裝至取樣試管中儲存，不需要人工手動接觸，避免發(fā)生化學(xué)污染。

用于氣質(zhì)聯(lián)用頂空分析的采樣裝置 788     

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本實用新型涉及用于氣質(zhì)聯(lián)用頂空分析的采樣裝置，包括內(nèi)置固液吸附顆粒的頂空瓶，與頂空瓶聯(lián)通，通過凈化熱空氣對頂空瓶進(jìn)行吹掃的通氣導(dǎo)管，放置頂空瓶的密閉容器以及經(jīng)抽氣管道與密閉容器連接的抽氣泵。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型可預(yù)制多個封裝好的頂空瓶進(jìn)行多點多批次采樣；快速簡便，適用于應(yīng)急狀態(tài)下采樣等。并可將采集的樣品直接通過頂空方式進(jìn)入氣質(zhì)聯(lián)用儀或氣相色譜儀，不需另行轉(zhuǎn)移，就可進(jìn)行化學(xué)品定性、定量分析。

用于GC-MS頂空進(jìn)樣定性分析的超微型反應(yīng)器 1180     

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本發(fā)明涉及一種用于GC?MS頂空進(jìn)樣定性分析的超微型反應(yīng)器，包括：GC?MS用頂空瓶，置于頂空瓶內(nèi)，盛裝試劑的試劑容器，盛裝樣品的浮筏，設(shè)置在試劑容器內(nèi)，浮筏內(nèi)置鐵芯，位于頂空瓶底部的強(qiáng)力磁鐵，固定在試劑容器內(nèi)的壓力指示管。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明可以使微量的樣品與水、酸或其它化學(xué)試劑在密閉的頂空瓶中發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)產(chǎn)生的氣體可直接導(dǎo)入氣相色譜?質(zhì)譜聯(lián)用儀進(jìn)行分析。

輕烴色譜60秒快速分析系統(tǒng) 920     

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本實用新型提供了一種輕烴色譜60秒快速分析系統(tǒng)，屬于化學(xué)分析技術(shù)領(lǐng)域，包括QC?02C，所述QC?02C包括前面板和后面板，所述前面板上設(shè)置空氣穩(wěn)壓口、樣品氣穩(wěn)壓口、組分氫氣穩(wěn)壓口和總烴氫氣穩(wěn)壓口，前面板下方還設(shè)置六通閥，所述六通閥包括氫氣輸入口、空氣輸入口、樣品氣輸入口、第一樣品氣放空口、第二樣品氣放空口和氫氣放空口。通過QC?02C色譜儀，能在短短的60秒內(nèi)獲得鉆井泥漿脫出氣中烴的數(shù)據(jù)，利用單體烴的數(shù)據(jù)，組合成多個參數(shù)、指標(biāo)，對錄井異常井段的含油氣可能性、儲層的含水性、烴類的次生氧化細(xì)菌降解的程度，作快速、初步的評價；為發(fā)現(xiàn)水淹層、評價油氣性質(zhì)及時提供有效的信息。