分子束外延是一種新的晶體生長技術,簡記為MBE。其方法是將半導體襯底放置在超高真空腔體中,和將需要生長的單晶物質按元素的不同分別放在噴射爐中(也在腔體內)。由分別加熱到相應溫度的各元素噴射出的分子流能在上述襯底上生長出極薄的(可薄至單原子層水平)單晶體和幾種物質交替的超晶格結構。分子束外延主要研究的是不同結構或不同材料的晶體和超晶格的生長。該法生長溫度低,能嚴格控制外延層的層厚組分和摻雜濃度;
激光分子束外延是集PLD與MBE的優(yōu)點于一體,具有超高真空、精確控制原子尺度外延生長、原位實時監(jiān)控的特點,即克服了PLD技術無法精確控制膜厚的特點,同時擺脫了MBE技術加熱束的限制,常用于用于生長
半導體材料超晶格,如超導體,光學晶體,壓電體,鐵電體,鐵磁體, 和有機化合物等薄膜材料,特別適用于生長高熔點、多元素及含有氣體元素的復雜層狀超晶格薄膜材料的,同時利用該技術還可以進行激光與物質相互作用、薄膜形成的過程等方面物理化學研究。