等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是一種在冶金和材料科學(xué)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的技術(shù),它通過利用等離子體的活性來增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)速率,實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量薄膜的沉積。這種設(shè)備在制備高性能的金屬和非金屬薄膜方面具有重要作用,尤其是在需要精確控制膜厚、成分和結(jié)構(gòu)的應(yīng)用中。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD設(shè)備主要由高真空獲得與測(cè)量系統(tǒng)、樣品臺(tái)、平行板式輝光等離子體電極系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)及電氣控制系統(tǒng)等五部分組成。高真空機(jī)組采用復(fù)合分子泵和機(jī)械泵組成,確保了極限真空度達(dá)到≤6.7×10^-5Pa,漏率≤10^-7 Pa?L/s,為PECVD過程提供了理想的高真空環(huán)境。大面積樣品臺(tái),襯底可加熱,平行板式輝光等離子體電極?400,可在線升降,這些設(shè)計(jì)使得設(shè)備能夠處理各種尺寸和形狀的樣品,適用于多種材料的薄膜沉積。
一、 設(shè)備主要功能及組成
1. 設(shè)備主要由高真空獲得與測(cè)量系統(tǒng)、樣品臺(tái)、平行板式輝光等離子體電極系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)及電氣控制系統(tǒng)等五部分組成。
2. 高真空機(jī)組采用復(fù)合分子泵和機(jī)械泵組成。
3. 大面積樣品臺(tái),襯底可加熱。
4. 多種工藝氣體可選,氣路系統(tǒng)定制。
5. 可選配膜厚控制儀,進(jìn)行在線測(cè)量和監(jiān)控。
6. 電氣控制系統(tǒng)具有多種報(bào)警功能,能及時(shí)提示故障情況,保障設(shè)備安全運(yùn)行。
二、 主要技術(shù)參數(shù)
1. 真空室尺寸:?450×450(可定制)
2. 極限真空度:≤6.7×10-5Pa
3. 漏率:≤10-7 Pa?L/s
4. 樣品臺(tái):可旋轉(zhuǎn)、襯底加熱
5. 平行板式輝光等離子體電極:?400,可在線升降
6. 氣路系統(tǒng):定制(采用高精度MFC質(zhì)量流量控制器)
7. 可選配工藝系統(tǒng):手套箱工作站、樣品預(yù)處理室、自動(dòng)樣品庫等
8. 供電電源:380V 50Hz(三相五線制)
9. 進(jìn)水排管徑:DN25
10. 工作水壓:0.2Mpa