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10大步驟!芯片制造的關(guān)鍵工藝

2024-03-12 10:26:12 來源:中冶有色技術(shù)平臺
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簡介:芯片的制造包含數(shù)百個步驟,從設(shè)計到量產(chǎn)可能需要四個月的時間。在晶圓廠的無塵室里,珍貴的晶圓片通過機械設(shè)備不斷傳送,整個過程中,空氣質(zhì)量和溫度都受到嚴格控制。

芯片的制造包含數(shù)百個步驟,從設(shè)計到量產(chǎn)可能需要四個月的時間。在晶圓廠的無塵室里,珍貴的晶圓片通過機械設(shè)備不斷傳送,整個過程中,空氣質(zhì)量和溫度都受到嚴格控制。

沉積

光刻膠涂覆

進行光刻前,首先要在晶圓上涂覆光敏材料“光刻膠”或“光阻”,然后將晶圓放入光刻機。


光刻膠涂覆

曝光

在掩模版上制作需要印刷的圖案藍圖。晶圓放入光刻機后,光束會通過掩模版投射到晶圓上。光刻機內(nèi)的光學元件將圖案縮小并聚焦到光刻膠涂層上。在光束的照射下,光刻膠發(fā)生化學反應(yīng),光罩上的圖案由此印刻到光刻膠涂層。




曝光

計算光刻

光刻期間產(chǎn)生的物理、化學效應(yīng)可能造成圖案形變,因此需要事先對掩模版上的圖案進行調(diào)整,確保最終光刻圖案的準確。ASML將現(xiàn)有光刻數(shù)據(jù)及圓晶測試數(shù)據(jù)整合,制作算法模型,精確調(diào)整圖案。

計算光刻

烘烤與顯影

晶圓離開光刻機后,要進行烘烤及顯影,使光刻的圖案永久固定。洗去多余光刻膠,部分涂層留出空白部分。

烘烤與顯影

刻蝕

顯影完成后,使用氣體等材料去除多余的空白部分,形成3D電路圖案。




刻蝕

計量和檢驗

芯片生產(chǎn)過程中,始終對晶圓進行計量和檢驗,確保沒有誤差。檢測結(jié)果反饋至光刻系統(tǒng),進一步優(yōu)化、調(diào)整設(shè)備

計量和檢驗

離子注入

在去除剩余的光刻膠之前,可以用正離子或負離子轟擊晶圓,對部分圖案的半導體特性進行調(diào)整。

離子注入

視需要重復制程步驟

從薄膜沉積到去除光刻膠,整個流程為晶圓片覆蓋上一層圖案。而要在晶圓片上形成集成電路,完成芯片制作,這一流程需要不斷重復,可多達100次。




視需要重復制程步驟

封裝芯片

最后一步,切割晶圓,獲得單個芯片,封裝在保護殼中。這樣,成品芯片就可以用來生產(chǎn)電視、平板電腦或者其他數(shù)字設(shè)備了!

 封裝芯片

迷你摩天大樓

正如上文提到的“視需要重復制程步驟”,現(xiàn)代芯片的結(jié)構(gòu)可多達100層,需要以納米級的精度相互疊加,這精度又稱為“套刻精度”。芯片上光刻的各層圖案大小不一,這意味著,光刻各層圖案需要用到不同設(shè)備。ASML的DUV深紫外線光刻機有數(shù)種不同的機種,適合最小圖案的關(guān)鍵性光刻需求以及普通圖案的正常光刻。

多干凈才干凈?

要知道,無論灰塵或異物如何微小,一旦落到晶圓上,都會損壞芯片。何況現(xiàn)代芯片有些需要經(jīng)歷幾十甚至上百層的制程,如何保證芯片生產(chǎn)的良率,晶圓廠的清潔度至關(guān)重要。

無塵室到底有多潔凈?

比我們?nèi)粘I畹目臻g要干凈10,000倍左右!大多數(shù)芯片制造商的 “ISO 1級”無塵室都能做到幾乎“零粉塵”,具體來說,在每立方米空氣中,100到200納米的顆粒不超過10個,且沒有大于200納米的顆粒。相比之下,一家干凈的現(xiàn)代醫(yī)院里,每立方米空氣中含有粉塵顆粒約10,000個,這差距可不是一點點。

無塵室

無塵室內(nèi)的空氣不斷過濾、循環(huán)。員工需要穿著特殊的工作服(又稱“兔子服”),維持零粉塵的工作環(huán)境。ASML的光刻機工廠位于荷蘭菲爾德霍芬,ASML的設(shè)備也都產(chǎn)自無塵室。

各類芯片制造模式

IDMs是指同時設(shè)計并制造芯片,代表企業(yè)包括英特爾和三星。Foundries則是根據(jù)合同為其他公司制造芯片,代表企業(yè)包括臺積電、格芯和聯(lián)電。而Fabless自身不設(shè)晶圓廠,如高通、英偉達和超微半導體。他們專注芯片設(shè)計,不涉及生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)和維護,從而避免高昂的成本。這些公司可能將生產(chǎn)外包給代工廠。

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